엘립소메트리와 분광반사 기술 의 비교

엘립소메타 기술과 분광반사율은 반사된 빛을 측하고 세미콘덕터, 얇은 철필름의 두께를 잽니다. 엘립소메타 기술과 분광정반사율의 고큰 차이점이 있습니다. 엘립소메타 기술은 낮은 각도에서 반사된 빛의 양을 측정하고 분광반사율은 직각으로 반사된 빛의 양을 측정합니다.

빛이 반사된 각도에의해 기술의 난이도와 가격 그리고 기능이 정해집니다. 일립소도메타 기술은 기울어 각도에서 빛의 양을 측정합니다. 이 기술은 반사된 빛의 극성과 강렬함도 함께 측정하기 때문에 더 확실하고 정확하게 두께를 측정할수 있습니다. 하지만 엘립소메타 기술로 빛의 극성까지 함께 측정하려면 고가의 이동성 광학 구성부품이 필요합니다.

분광반사기술은 빛을 직각으로 반사시켜 측정하므로써 빛의 극성은 측정하지 않습니다. 이로인해 분광반사 기술을 사용한 제품은 엘립소메타 기술에 비교했을때 이동성 구성부품도 없고 더 간단하고 저렴합니다. 하지만 분광반기술에는 투과율 분석기능도 쉽게 적용할수 있습니다.

밑에 표를 보시면 분광반사기술ㅇ은 10um 보다 두꺼운 박박에 적합하며 엘립소메타기술은 10nm보다 더 얇은 박막에 적합하다고 나와있습니다. 10um와 10nm 사이의 측적용도는 다양합니다. 10um와 10nm 사이의 두께를 측정때는 엘립소메타 기술보단 신속하고 간단하며 저렴한 분광반사 기술이 적합힙니다.

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