Indium Arsenide의 굴절률

Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals and is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1-3.8 ?Em. The detectors are usually photovoltaic photodiodes.

전형적인 InAs 샘플의 굴절률과 흡수율은 632.8 nm 기준 3.963 과 0.607 입니다. 아래는 굴절률, 흡수율의 파일 입니다. 만일 파일을 다운로드 할 수 없다면, 귀하는 자사의 "요청" 을 클릭하여 파일을 요청 하실 수 있습니다.

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굴절률 참고 - D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)

D. E. Aspnes and A. A. Studna (1983) "Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV" Phys. Rev. B 27, 985–1009 doi: 10.1103/PhysRevB.27.985

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